温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种非易失性存储单元，其包括：　　　　一半导体衬底；　　　　一井区域，其以一第一类掺杂剂注入而形成于该半导体衬底中；　　　　一第一掺杂区域，其以一第二类掺杂剂注入而形成于该半导体衬底中；　　　　一第二掺杂区域，其被形成但与该第一掺杂区域有所...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。