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一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：　　　　（ａ）在半导体衬底的表面上形成图案，所述图案包括第一氮化硅膜并具有用于形成隔离沟槽的窗口；　　　　（ｂ）用所述图案作为掩模蚀刻所述半导体衬底，以形成隔离沟槽；　　　　（ｃ）沉积覆盖所述隔离沟槽...
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