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本文提出了用于增强功率半导体器件中的击穿电压的耦合式多晶硅保护环。多晶硅保护环被设置在功率器件漂移区域上方并且电耦合到功率器件区域(例如，器件扩散部)，以便散布与运行电压相关联的电场。此外，PN结(即，P型结和N型结)在多晶硅保护环内形成，...
该专利属于电力集成公司所有，仅供学习研究参考，未经过电力集成公司授权不得商用。

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