用于增强功率半导体器件中的击穿电压的耦合式多晶硅保护环制造技术

本文提出了用于增强功率半导体器件中的击穿电压的耦合式多晶硅保护环。多晶硅保护环被设置在功率器件漂移区域上方并且电耦合到功率器件区域(例如，器件扩散部)，以便散布与运行电压相关联的电场。此外，PN结(即，P型结和N型结)在多晶硅保护环内形成，以以反向偏压运行，使得在功率器件区域(例如，器件扩散部)之间具有低泄漏电流。低泄漏电流可以有利地增强电场散布，而不有害地影响现有的(即，常规的)功率器件性能；并且增强的电场散布进而可以降低击穿电压漂移。低击穿电压漂移。低击穿电压漂移。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于增强功率半导体器件中的击穿电压的耦合式多晶硅保护环
[0001]公开内容的领域
[0002]本专利技术涉及用于提高功率场效应晶体管中的击穿电压的保护环(guard ring)，并且更具体地涉及多晶硅保护环。
[0003]背景信息
[0004]功率场效应晶体管(FET)可以被选通，以在断开状态(off
‑
state)下阻断高电压并且在导通状态(on
‑
state)下提供高电流。功率FET可以由其击穿(即，阻断(blocking))电压和其导通电阻(on
‑
resistance)表征；并且通常用来表征功率FET的品质因数(figure of merit)是比导通电阻(specific on
‑
resistance)。比导通电阻指的是导通电阻乘以器件面积，并且提供实现期望的导通电阻值可能需要多少半导体面积的度量。理想地，功率器件被设计为具有低比导通电阻和高击穿电压。
[0005]一种类型的功率FET是横向扩散金属氧化物场效应晶体管(LDMOS)，其被设计用于从漏极到源极的横向电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，包括：第一器件区域；第二器件区域；漂移区域，所述漂移区域位于所述第一器件区域和所述第二器件区域之间；以及至少一个保护环，所述至少一个保护环包括电耦合在所述第一器件区域和所述第二器件区域之间的至少一个二极管；其中所述半导体器件被配置为接收所述第一器件区域和所述第二器件区域之间的电压，其中所述至少一个二极管被配置为响应于所述电压而提供泄漏电流，并且其中所述至少一个保护环被配置为支持响应于所述电压的所述漂移区域内的电场。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件包括横向扩散金属氧化物场效应晶体管(LDMOS)。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件包括结型场效应晶体管(JFET)。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个保护环包括多晶硅。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个二极管包括串联电耦合的多个二极管。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个二极管是p型、本征、n型(PIN)二极管。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个保护环被设置在场氧化物上。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个二极管包括：第一二极管，所述第一二极管被配置为响应于所述电压而以反向偏压运行；以及，第二二极管。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二二极管被配置为响应于所述电压而以反向偏压运行。10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二二极管被配置为响应于所述电压而以正向偏压运行。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一器件区域是具有第一极性类型的漏极区域。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第一极性类型是n型。13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第二器件区域是具有与所述第一极性类型相反的第二极性类型的本体区域。14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述第二极性类型是p型。15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个保护环包括第一保护环。16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述漂移区域包括第一浅沟槽隔离(STI)沟槽；并且其中所述第一保护环被设置在所述第一STI沟槽的氧化物上。17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中所述至少一个保护环包括第二保护环；其中所述漂移区域包括第二STI沟槽；并且
其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国彰，S，
申请(专利权)人：电力集成公司，
类型：发明
国别省市：