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本发明提供一种双或双重栅极逻辑器件，其具有始终自对准的栅极导体，且其沟道的宽度不变。本发明还提供一种选择性地蚀刻含锗栅极导体材料，而不明显地蚀刻相邻硅沟道材料的方法。按此方式，栅极导体可被包覆于介电壳中，而不改变硅沟道的长度。此沟道材料可采...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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