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一种半导体器件，它包含半导体衬底和具有制作在半导体衬底的电路制作侧上的沟槽隔离结构的元件隔离氧化膜，其中的衬底具有围绕沟槽隔离结构的沟槽上边沿的单调凸面形状；氧化膜在沟槽隔离结构中部的沟槽内壁处被氧化成厚度为５－７０ｎｍ；且半导体衬底在其上...该专利属于株式会社日立制作所、日立超大规模集成电路系统株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所、日立超大规模集成电路系统株式会社授权不得商用。