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半导体存储装置，具备有：存储器阵列（ＢＡＮＫ１）；连接于读出放大器（１０４）上的第１全程位线（ＲＧＢＬ）；连接到写入放大器（１０２）上的第２全程位线（ＷＧＢＬ）；和使上述多条位线（ＬＢＬ）选择性地连到上述第１全程位线（ＲＧＢＬ）和第２全程位...
该专利属于株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所授权不得商用。

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