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一种铁电内存胞元之制造方法，其首先决定连结层之氧化速率，以及，利用连结层之氧化速率，将连结层材料（举例来说，钛金属）之氧扩散系数决定为温度之函数。接着，决定钛硅铱（ＴｉＳｉＩｒ）层由钛层形成之速率，以及，利用钛硅铱（ＴｉＳｉＩｒ）之形成速率...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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