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公开了一种制造半导体器件的方法，该方法能够提高器件隔离膜的器件隔离能力，并能够有效地形成具有不同膜厚的栅绝缘膜。该方法可以用于制造具有嵌入逻辑元件的非易失性存储器的半导体器件。作为一个实施例，在硅衬底上形成衬底保护膜，然后在闪存单元区域中形...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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