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在设置于蚀刻室内的一对对置电极中的一个上配置基板，对对置电极两者提供高频电功率，使用由等离子体进行蚀刻的装置，通过使用至少含有Ｃｌ↓［２］和ＨＢｒ的气体的等离子体蚀刻来进行蚀刻，通过氮化硅层（１０３）等掩膜层在附图（ａ）的硅基板（１０１）上...
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