温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件的制造方法以及半导体器件，所述制造方法包括：在半导体衬底上形成第一绝缘膜的工序；除去第一绝缘膜的一部分的工序；在半导体衬底上的除去第一绝缘膜的一部分的区域中形成比第一绝缘膜的漏电流密度还高的第二绝缘膜的工序；在第一绝缘膜和第二...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。