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一半导体结构是包含一第一导电型态之一基层（１００，Ⅳ），该第一导电型态之一第一层（１０２，Ⅲ），其是配置于该基层（１００，Ⅳ）之上，并具有低于该基层（１００，Ⅳ）之掺质浓度之一掺质浓度，以及一第二导电型态之一第二层（１０４，Ⅱ），其是为了于...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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