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本发明提供一种硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅（ＳＯＮＯＳ）存储器件及其制造方法。该ＳＯＮＯＳ存储器件包括半导体衬底、淀积在半导体衬底上的绝缘层、形成在绝缘层的预定区域并且被分为源区、漏区和沟道区的有源层、形成在沟道区一侧的第一侧栅叠层和形成...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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