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本发明公开了一种半导体衬底、其制造方法以及半导体器件的制造方法。其目的在于：抑制ＣＭＰ后的衬底表面的段差。在端部拥有缺口的半导体衬底上，缺口的两肩部的形状都为圆弧状，同时，两肩部的曲率的差在０ｍｍ以上且０．１ｍｍ以下。...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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