温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本文公开一种具有双栅电极（６０，５０）的半导体装置以及形成这种半导体装置的方法。第一金属／硅栅堆和第一栅电介质（４０）在第一掺杂区形成。金属／栅堆（６０，５０）包括第一栅电介质（４０）上面的金属部分（５０）和金属部分（５０）上面的第一栅部分...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。