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一种半导体装置的制造方法，具有：在半导体基板的元件分离区域形成第一沟槽的工序；埋入第一沟槽内地形成由绝缘膜构成的第一膜的工序；在第一沟槽内形成比第一沟槽深的第二沟槽的工序；在第二沟槽内形成埋入膜的工序；以及对第一膜的多余堆积部分及埋入膜的多...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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