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本公开的各实施例涉及高电子迁移率晶体管器件和半导体器件。高电子迁移率晶体管器件，包括：异质结构；在异质结构上的电介质层；以及栅极电极，完全延伸穿过电介质层，栅极电极包括：第一栅极金属层，被配置为与异质结构形成肖特基接触；第二栅极金属层，在第...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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