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本发明揭示一种ＥＳＤ保护电路（１５０），其包括一用于一具有被保护电路的半导体集成电路（ＩＣ）的同步偏压多指导通ＭＯＳ器件。该ＥＳＤ保护电路包括：一多指式ＮＭＯＳ晶体管（１００），其中每一指均具有用于分别耦合于ＩＣ的一Ｉ／Ｏ焊垫（２０）与大地...
该专利属于萨诺夫公司所有，仅供学习研究参考，未经过萨诺夫公司授权不得商用。

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