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一种制备材料芯片的ｋ分分形掩膜方法，其特征在于，以所需制成的材料芯片中元素的最大水平数ｋ为依据，首先将基本掩膜分成具有与其相似结构的ｋ个中心对称的区域，即ｋ分分形，其中之一被设为通透状态，将所得掩膜依次向同一方向旋转３６０°／ｋ，每旋转一次...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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