【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种制备材料芯片的掩膜方法，尤其涉及一种制备材料芯片的k分分形的掩膜方法，属于材料芯片领域。
技术介绍
1995年以来发展了并行集成的材料合成技术，称之为材料芯片。材料芯片的提出被Science杂志推举为1998年世界十大科技进展之一。所谓材料芯片实质上是一种高密度的材料库阵列，运用并行组合掩膜技术和薄膜材料合成技术，可以快速地将成千上万种具有不同化学组分的材料并行集成到一块基片上，即为合成材料芯片。项晓东等人最早采用二分法组合掩膜方法与溅射沉积相结合制造出世界上第一个材料芯片。根据现有的文献报道，掩膜方法大体上可分为两类一类是最终所得的材料成份是分立的，如二分掩膜方法和四分掩膜方法，参见Peter G Schultz，Xiao-DongXiang.Combinatorial approaches to materials science.Current Opinion inSolid State & Materials Science.1998，3153-158.(材料科学中的组合方法，固态及材料科学新见)；另一类是最终所得...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制备材料芯片的k分分形掩膜方法，其特征在于，以所需制成的材料芯片中元素的最大水平数k为依据，首先将基本掩膜分成具有与其相似结构的k个中心对称的区域，即k分分形，其中之一被设为通透状态，将所得掩膜依次向同一方向旋转360°/k，每旋转一次即溅射第一种元素的一个水平，旋转第一个周期后，芯片上有k个材料单元，以后每加入一种元素采用一张新掩膜，将当前芯片上材料单元区对应的掩膜区域按照基本掩膜的分形方式进行分形就得到下一张新的掩膜，即每张掩膜都有与基本掩膜相似的结构，经过n次分形叠加以k次旋转操作就得到最大水平数为k的...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯兰，顾明，蔡英文，何丹农，余震，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：
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