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本发明公开了一种厚膜ＳＯＩ场效应晶体管，目的是提供一种既可以实现硅膜全耗尽，又可以克服ＳＯＩ器件固有的Ｋｉｎｋ效应，同时还能够增加器件的驱动电流，提高速度，改善短沟性能的厚膜ＳＯＩ场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种厚膜ＳＯＩ场效应晶体管...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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