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一种用于制造半导体器件（１００）的方法，包括步骤：在衬底（３）中形成沟槽（４）；通过该绝缘膜（５），在该沟槽（４）中形成导电膜（６）；以及在形成该导电膜（６）的步骤后，以退火温度使该衬底（３）退火，以便以退火温度去除该绝缘膜（５）中的损坏。...
该专利属于株式会社电装所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社电装授权不得商用。

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