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本发明提供一种改善闸极介电层的电性的方法，其中包括以下步骤：提供一半导体基底；形成一闸极介电层于上述半导体基底表面，其中上述闸极介电层包括氧化铪（ＨｆＯ↓［２］）；实施一含氢气体处理；以及实施一含氧气体处理。一种具有高介电常数的闸极介电层的...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种改善闸极介电层的电性的方法，其中包括以下步骤：提供一半导体基底；形成一闸极介电层于上述半导体基底表面，其中上述闸极介电层包括氧化铪（ＨｆＯ↓［２］）；实施一含氢气体处理；以及实施一含氧气体处理。一种具有高介电常数的闸极介电层的...