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与在ＤＲＡＭ内存胞元的习知电容器相较，本电容器排列不需占据在半导体基板（２）的额外面积，即具增加电容。根据本发明电容器（８、９）的排列系基于于该基板（２）的二或更多个别排列个别电容器以形成一在另一内或一在另一上的二或更多电容器。在此情况下，...
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