温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种用于形成与互补金氧半（ＣＭＯＳ）电路集成的、具有基极（１９０）、射极（３５０）和埋入集极（１０５）上方的提升非本征基极（３１０）。提供一种具有ＣＭＯＳ和双极区的中间半导体结构。在双极区内提供本征基极层。跨越ＣＭＯＳ区与双极区...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。