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本发明公开了一种炭化硅半导体器件及其制造方法，在使用炭化硅的半导体器件中，通过提高电极与层间绝缘膜之间的贴紧性来提高可靠性。在本发明的半导体器件中设置有：炭化硅衬底１、ｎ型的高电阻层２、设置在高电阻层２的表面一层的阱区域３、设置在阱区域３内...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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