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本发明提供一种形成暨测试一相移掩膜（ｐｈａｓｅ　ｓｈｉｆｔ　ｍａｓｋ，ＰＳＭ）的方法。首先于一掩膜基底上的一主要图案区域上形成一第一图案、至少一第二图案以及至少一第三图案，以形成该相移掩膜，再利用该相移掩膜，将该第一、第二与第三图案转移至一...
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