温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种使用互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）工艺制造双极性晶体管的方法，与寄生ＢＪＴ相比，该方法通过使用一般Ｐ型晶片作为基底来额外执行一ＣＭＯＳ逻辑工艺及一Ｎｂａｓｅ（Ｎ型基极）和Ｐｂａｓｅ（Ｐ型基极）工艺，而得以拓展应用范围且具有改...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。