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本发明涉及一种可改善铜金属层结构的表面处理方法，包括下列步骤：（ａ）提供一表面具有介电层的半导体基底，且所述介电层形成有一沟槽；（ｂ）在所述介电层表面及沟槽表面依序形成一顺应性的阻障金属层及铜晶种层；（ｃ）施行一旋转喷洒程序，在所述铜晶种层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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