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能够获得高密度的双向读取／编程非易失性存储单元和阵列。每一存储单元具有两个间隔开的用于在其上存储电荷的浮栅。该单元具有间隔开的源／漏区，沟道在源／漏区之间，该沟道具有三个部分。一个浮栅在第一部分上；另一浮栅在第二部分上，且栅电极控制在第一和...
该专利属于硅存储技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅存储技术公司授权不得商用。

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