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一种半导体装置，消减ＢｉＣＭＯＳ工艺的工序数量。在Ｐ型半导体衬底１的表面较深地形成第一Ｎ阱３Ａ、第二Ｎ阱３Ｂ。在第一Ｎ阱３Ａ中形成第一Ｐ阱４Ａ，并在该第一Ｐ阱４Ａ中形成Ｎ沟道型ＭＯＳ晶体管１０。第二Ｎ阱３Ｂ被用于纵型ＮＰＮ双极晶体管３０的集...
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