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本发明提供一种半导体器件，目的是提高包含以铜作为主要成分的主导体膜的埋入布线的可靠性。在包含作为下层布线的布线（２０）的上表面的绝缘膜（１６）上，形成由铜的阻挡性优良的碳氮化硅膜组成的绝缘膜（２１），在绝缘膜（２１）上形成由与低介电常数材料...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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