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制作钨插塞的方法技术
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文档序号:3207055
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一种于一半导体晶片上制作钨插塞的方法,该半导体晶片表面包含有一基底,一铜双镶嵌结构设于该基底之上,一介电层覆盖于该铜双镶嵌结构之上,以及一介层洞穿过该介电层并通达该铜双镶嵌结构顶部表面;首先于介层洞底部及侧壁表面形成一氮化钽层,然后于氮化钽...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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