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一种相变存储器件，包括：相变存储单元，具有在非晶态和晶态之间可编程的材料体。写电流源选择性地施加第一写电流脉冲以将相变存储单元编程为非晶态和施加第二写电流脉冲以将相变存储单元编程为晶态。相变存储器件还包括恢复电路，选择性地将第一写电流脉冲施...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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