温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体存储器件,具有存储单元阵列部分和外围电路部分,存储单元阵列包括多个具有开关晶体管和信息存储元的存储单元,外围电路包括具有栅、源和漏的MISFET,还包括:形成在存储单元阵列的衬底主表面上、起开关晶体管的栅极作用的字线导体;形成在外...该专利属于株式会社日立制作所;德州仪器有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社日立制作所;德州仪器有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体存储器件,具有存储单元阵列部分和外围电路部分,存储单元阵列包括多个具有开关晶体管和信息存储元的存储单元,外围电路包括具有栅、源和漏的MISFET,还包括:形成在存储单元阵列的衬底主表面上、起开关晶体管的栅极作用的字线导体;形成在外...