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具有沟槽型选择栅极的快闪存储器及制造方法技术
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文档序号:3206910
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本发明公开一种快闪存储器及制造方法,其中存储单元在叠置且自对准的浮置和控制栅极之间的沟槽中形成有选择栅极,埋置的源和漏极区通过选择栅极选通。擦除路径形成在浮置栅极的凸出的圆化边缘和选择栅极之间,编程路径从选择栅极和浮置栅极之间的中间沟道区延...
该专利属于前讯系统股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过前讯系统股份有限公司授权不得商用。
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