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一种制造半导体装置的方法，其具有一对准记号，该方法系包含形成一第一介电层，其中具有预先决定尺寸的一沟槽被蚀刻进入该介电层内并且沉积一第一金属层进入该沟槽内；形成一第二介电层在第一介电层之上方且在第一金属层之上方；同时蚀刻多数线与一开口进入第...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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