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具有应变沟道的互补式金属氧化物半导体及其制作方法技术
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下载具有应变沟道的互补式金属氧化物半导体及其制作方法的技术资料
文档序号:3206807
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一种具应变通道的互补式金氧半导体,其特征在于所述互补式金氧半导体包括: 一半导体基底; 复数沟槽隔离区,设置于上述半导体基底内,使得相邻两上述沟槽隔离区之间各定义出一主动区,其中上述主动区包括一N型主动区与一P型主动区; ...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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