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本发明的课题是得到能够避免因高压侧浮动偏移电压ＶＳ的负变动引起的误动作和锁定击穿的半导体器件。在ＮＭＯＳ１４与ＰＭＯＳ１５之间，在ｎ型杂质区２８的上表面内以与ｐ型阱２９相接的方式形成ｐ↑［＋］型杂质区３３。在ｐ↑［＋］型杂质区３３上形成电极...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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