温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体存储装置，包括：存储单元、侧壁绝缘膜和层间绝缘膜。存储单元具有第一强磁性膜、形成在第一强磁性膜上的隧道阻碍膜和形成在隧道阻碍膜上的第二强磁性膜。至少包围第二强磁性膜的侧面来形成侧壁绝缘膜。覆盖存储单元和侧壁绝缘膜而形成...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。