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本发明公开了一种分离栅极闪存单元，其由具有一沟槽的衬底；设置于衬底上，且由隧穿介电层、浮置栅极与顶盖层所构成的堆栈结构；分别设置于堆栈结构的侧壁的第一栅间介电层与第二栅间介电层，且第一栅间介电层与沟槽的顶部相邻、设置于堆栈结构的第一栅间介电...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

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