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非易失半导体存储器制造技术
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文档序号:3206677
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在半导体基底上形成栅极绝缘膜(14)。在栅极绝缘膜(14)上形成浮动栅极(15)。浮动栅极(15)具有基本为三角形的、沿着一个平面得到的截面,该平面以平行于半导体基底上的第一方向并且垂直于半导体基底的方式延伸,并且具有与栅极绝缘膜接触的底部...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。
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