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在具有铜互连和低ｋ层间电介质的集成电路中，发现热处理后开路的问题，通过Ｔｉ第一衬层（４２）、随后的ＣＶＤ　　ＴｉＮ保形衬层（４６）、依次随后的ＴＡ或ＴａＮ最终衬层（４８）解决该问题，从而增强通孔和底铜层之间的粘附力，同时把由Ｔｉ和铜之间合金...
该专利属于国际商业机器公司;英芬能技术北美公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司;英芬能技术北美公司授权不得商用。

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