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一种方便测量半导体外延晶片击穿电压的测量方法以及一种实现较高耐受电压的半导体外延晶片。在根据本发明的半导体外延晶片（１０）的耐受电压测量方法中，仅仅使用肖特基触点来测量触点（１２、１２）之间的耐受电压，而不需要使用电阻触点。由于相应地省略了...
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