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本发明公开了一种防止横向氧化穿过对氧扩散高度可渗的诸如高ｋ栅电介质的栅电介质的方法和装置。根据本发明的一个实施例，在衬底上形成栅极结构，该栅极结构具有氧可渗栅电介质。然后在该栅极结构的侧壁上形成氧扩散阻挡层，以防止氧横向扩散到氧可渗栅电介质...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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