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一种有ＤＰ阱的ＢｉＭＯＳ数模混合集成电路的制造方法，在用ＣＭＯＳ工艺在Ｐ型衬底上制作Ｎ阱和Ｐ阱后在Ｎ阱中使用光罩定义ＤＰ阱的区域，将非ＤＰ阱的区域使用光刻胶覆盖，在ＤＰ阱的区域进行离子注入制作ＤＰ阱，以后的步骤与的双层多晶硅双层金属ＣＭＯＳ...
该专利属于上海先进半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造有限公司授权不得商用。

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