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本发明涉及一种包覆栅晶体管，其包括具有上表面和彼此相对的第一和第二侧表面的衬底。在衬底中形成源和漏区（２８），其间具有沟道区。沟道区从衬底的第一侧表面延伸到第二侧表面。在衬底上形成栅介电层（４０）。在栅介电层（４０）上形成栅电极（４２）以自...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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