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本发明涉及一种绝缘体上硅结构及制备方法，属于微电子技术领域。其特征在于先后通过Ａｌ薄膜沉积、键合、离子注入，结合热处理等技术来制备以氮化铝或氧化铝或ＡｌＮ、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］或ＳｉＯ↓［２］中两种或多种复合层为埋...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技有限公司授权不得商用。