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本发明提供了一种新型环栅垂直ＳｉＧｅＣ　　ＭＯＳ器件，它包括：栅氧化层３、多晶硅栅层４、栅极５、源极６、漏极７以及电极引线８和ＳｉＯ↓［２］隔离区９；其特征是它还包括：生长在ｎ－Ｓｉ衬底上的ｐ↑［＋］－Ｓｉ↓［１－α－β］Ｇｅ↓［α］Ｃ↓［...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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