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静电放电NMOS器件及其形成方法,以及电子系统技术方案
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文档序号:3205742
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一种ESD NMOS结构具有奇数个建立在一个P型阱(6)中的N型结构(4a-4g)。嵌入的N型结构(NBL)被置于该N型结构之间。中央的N型结构和每个交替的N型结构被相互电连接,到该嵌入的N型结构,并且连接到输出接头(14);而其它N型结...
该专利属于快捷半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过快捷半导体有限公司授权不得商用。
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